本文將針對(duì)TFT LCD的整體系統(tǒng)面，也就是對(duì)其驅(qū)動(dòng)原理來(lái)做介紹，而其驅(qū)動(dòng)原理仍然因?yàn)橐恍┘軜?gòu)上差異的關(guān)系而有所不同。首先將介紹由于Cs (storage capacitor) 儲(chǔ)存電容架構(gòu)不同，所形成不同驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)架構(gòu)的原理。

Cs (storage capacitor) 儲(chǔ)存電容的架構(gòu)

一般最常見(jiàn)的儲(chǔ)存電容架構(gòu)有兩種，分別是Cs on gate與Cs on common這兩種。顧名思義，兩者的主要差別在于儲(chǔ)存電容是利用gate走線(xiàn)或是common走線(xiàn)來(lái)完成。在上一期文章中曾提到，儲(chǔ)存電容主要是為了讓充好電的電壓能保持到下一次更新畫(huà)面的時(shí)候之用，所以必須像在CMOS的制程之中，利用不同層的走線(xiàn)來(lái)形成平行板電容。而在TFT LCD的制程中，則是利用顯示電極與gate走線(xiàn)或common走線(xiàn)所形成的平行板電容，來(lái)制作出儲(chǔ)存電容Cs。

上圖就是這兩種儲(chǔ)存電容架構(gòu)，圖中可以很明顯地知道，Cs on gate由于不必像Cs on common需要增加一條額外的common走線(xiàn)，所以其開(kāi)口率(Aperture ratio)比較大。而開(kāi)口率的大小是影響面板的亮度與設(shè)計(jì)的重要因素，所以現(xiàn)今面板的設(shè)計(jì)大多使用Cs on gate的方式。但是由于Cs on gate方式的儲(chǔ)存電容是由下一條的gate走線(xiàn)與顯示電極之間形成的(請(qǐng)見(jiàn)圖2中Cs on gate與Cs on common的等效電路)，

而gate走線(xiàn)就是接到每一個(gè)TFT的gate端的走線(xiàn)，主要是作為gate driver送出信號(hào)來(lái)打開(kāi)TFT，好讓TFT對(duì)顯示電極作充放電的動(dòng)作。所以當(dāng)下一條gate走線(xiàn)送出電壓要打開(kāi)下一個(gè)TFT時(shí)，便會(huì)影響到儲(chǔ)存電容上儲(chǔ)存電壓的大小。不過(guò)由于下一條gate走線(xiàn)打開(kāi)到關(guān)閉的時(shí)間很短(以1024 x 768分辨率，60Hz更新頻率的面板來(lái)說(shuō)。一條gate走線(xiàn)打開(kāi)的時(shí)間約為20μs，而顯示畫(huà)面更新的時(shí)間約為16ms，所以相較下影響有限)，所以當(dāng)下一條gate走線(xiàn)關(guān)閉，回復(fù)到原先的電壓，則Cs儲(chǔ)存電容的電壓，也會(huì)隨之恢復(fù)到正常。這也是為什么大多數(shù)的儲(chǔ)存電容設(shè)計(jì)都是采用Cs on gate的方式的原因。